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场效应管MOSFET的重要基本参数

发表时间:2021-02-01 14:47作者:飞捷士

什么是场效应管?场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。场效应管有哪些基本参数?


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(1)场效应管的基本参数


①夹断电压UP 也称截止栅压UGS(OFF),是在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的情况下,能使其漏源输出电流减小到零时所需的栅源电压UGS。


②开启电压UT 也称阀电压,是增强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为一定值时,能使其漏、源极开始导通的最小栅源电压UGS。


③饱和漏电流IDSS 是耗尽型场效应管在零偏压(即栅源电压UGS为零)、漏源电压UDS大于夹断电压Up时的漏极电流。


④击穿电压BUDS和BUGS



a.漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值,是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时,使漏极电流ID突然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。


b.栅源击穿电压BUGS。是场效应管的栅、源极之间能承受的最大上作电压。


⑤耗散功率PD 也称漏极耗散功率,该值约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。


⑥漏泄电流IGSS 是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。


⑦直流输入电阻RGS 也称栅源绝缘电阻,是场效应管栅—沟道在反偏电压作用下的电阻值,约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。


⑧漏源动态电阻RDS 是漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比,一般为数千欧以上。


⑨低频跨导gm 也称放大特性,是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力,类似于三极管的电流放大倍数β值。


⑩极间电容 是场效应管各极之间分布电容形成的杂散电容。栅源极电容(输入电容)CGS和栅漏极电容cGD的电容量为1~3pF,漏源极电容CDS的电容量为0.1~1pF。


场效应管的主要参数


1.开启电压UT (MOSFET)


通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压,用UGS(th)或UT表示。


开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。


2.夹断电压UP (JFET)


当UDS为某一固定值(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS=UP时,漏极电流为零。


3.饱和漏极电流IDSS (JFET)


饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。


4.直流输入电阻RGS


直流输入电阻RGS是漏一源短路,栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。


结型场效应管:RGS》107ΩMOS管:RGS》109~1015Ω。


5.跨导Gm


漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。


6.最大漏极功耗


最大漏极功耗PD=UDSID,相当于三极管的PCM。


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