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Mouser编号:137-PA341DF制造商编号:PA341DF制造商:Apex 说明:运算放大器 - 运放 IC OpAmp 350V, 120mA PeakPA341是一款高电压单片MOSFET运算放大器,具有以下主要特性:高电压操作:PA341能够在高达-350V的电压下工作,适用于高压应用场景。低静态电流:在典型情况下,其静态电流为2.2mA,适合低功耗设计。无二次...
2024-11-11
2024-08-08
什么是MOS管?MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。一MOTMO...
2024-05-15
Part 01前言在之前的文章中我们介绍了基于三极管+稳压二极管的稳压输出电路的器件选型,以及优化电路,但是我们有时候会在某些电路中看到三极管+稳压二极管又会搭配恒流源使用,但是此恒流源又不是实现输出负载电流恒流输出,接下来我们就探讨一下恒流源在此电路中的作用。编辑搜图Part 02电路原理分析下图中红线对应的是稳压输出的路径,基于此我们可以计算出输出电压:Vout=Vbe+Vz。编辑搜图输...
2024-05-14
怎么判定MOS管的带载能力,如何选择MOS管?1)基本常识点:我们都知道MOS管的带载能力与漏源电流和内阻有关,漏源电流越大,内阻越小,带载能力越强。2)MOS管导通后的等效电路如下:MOSFET导通之后,近似如上图的电阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根据电阻分压,电压跟电阻成正比,所以内阻越小,分压越小,而后端带负载的电压越高,负载的功率越大;同时MOS管的内阻越小...
2024-05-08
氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中,GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用,例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中,我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被广泛使用。许多晶圆厂现在提供先进的...
2024-04-23
几乎所有电子设备中都包含开关电源 (SMPS)。这种电源尺寸很小但效率很高,是比较广泛使用的电源之一。SMPS 集成了可控开关、控制 IC 和无源元件,为负载提供可持续的可靠输出。DC-DC 和 AC-DC 电源转换是比较常见的两种电源类型。大多数负载需要直流输入,例如手机、笔记本电脑和数据中心内高功率服务器中的芯片。DC-DC 转换器可将直流输入转换为所需的直流输出,是 SMPS 的核心器...
2024-04-20
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。1. IGBT的工作原理:IGBT是一种晶体管结构,由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)控制Bip...
2024-04-12
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),变频器的核心部件IGBT实物图+电路符号图在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体,IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比,绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益,以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。01什...
2024-03-30
CS14N10 A4Silicon N-Channel Power MOSFET描述:CS14N10A4,硅N通道增强VDMOSFET,是通过高密度沟槽技术获得的,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为TO-252,符合RoHS标准。特点:l紧开关l低导通电阻(Rdson≤150mΩ)l低门电荷l低反向传输电容l100%单脉冲雪崩能量...
2024-03-29
在电路设计中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!什么是MOS管?场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应...
2024-03-26
当负载由多个电源同时驱动且每个电源具有其自己的频率时,来自各个电源的负载功率传输是彼此独立的。无论其中任何一个电源单独为负载提供多少功率,该功率传输都不会受到其他电源存在与否的影响。想象一下这个场景,一堆电压源串联在一起,馈入某个负载电阻R。它可能类似于图1。图1 一组串联的电压源,馈入某个负载电阻R。当然,我们还可以有更多的电压源,比如四个、五个或更多,但三个是一个比较好且方便的数字。为了...
2024-03-21
dcdc开关频率高低有什么影响DC-DC开关频率高低对电源系统的性能和特性都有一定的影响,这些影响主要包括效率、尺寸、成本、EMI(电磁干扰)和动态响应等方面。1. 效率: 高开关频率通常可以提高DC-DC转换器的效率。这是因为高频率开关可以减小开关器件的尺寸,降低开关过程中的能量损耗,从而提高整体转换效率。但是,高频率可能会增加开关损耗和开关器件的损耗,因此需要合理权衡来达到最佳的效率。2...
2024-03-12
逻辑探头由被测设备(DUT)供电,可以是任何二进制逻辑,供电范围为+2V至+6V。其可以选用微控制器或74/54系列逻辑芯片,包括HC/HCT芯片。探头决定3个条件:逻辑0逻辑1未定义(这可能是Z条件或接触不良)。它还带有一个计数器,当您想要计算脉冲、估计频率值或测试接口时,这非常方便。(该部分以草图形式显示)图1中的探头由两个施密特触发器组成,图中上方的触发器确定逻辑0,下方的触发器确定逻...
2024-03-04
单片集成电路(IC)是指所有功能都在单个硅芯片(也称为芯片)上实现的电路。使用极紫外(EUV)光刻工艺的芯片最大实际尺寸约为25mmx25mm=625mm2。虽然可以制造更大的芯片,但其产量开始迅速下降。因此,当今数十亿晶体管器件的一种解决方案是将设计分解成多个较小的芯粒,安装在硅中间膜上,以单个封装形式呈现。在这种情况下,较小的芯粒被称为 chiplet 或 tiles,而最终器件则被称为...
2024-02-22
那是20世纪90年代中期,我是一家设计和制造定制测量系统和大功率电子产品的公司的设计工程师。我们的客户包括实验聚变反应堆运营商和电力公司。一天,我的老板让我和他一起去会议室,与一家公共交通汽车制造商的一些人会见。他说他们的一家供应商的产品出现了问题,请求我们提供帮助。我们见到了地铁车辆制造商的项目经理和他们一家供应商的工程师。该产品是安装在地铁车厢上的一种新型红色尾灯。与它的名字相反,尾灯安...
2024-02-21
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体正在为下一代光伏(PV)和储能系统(ESS)提供更高效率、更小尺寸的电源转换解决方案。在本文中,我们将重点介绍英飞凌科技和东芝提供的此类产品的示例。光伏安装和发电量强劲增长2050年温室气体净零排放气候变化目标正在推动许多国家采用可再生能源生产。光伏电池板效率和可靠性的提高、成本的降低以及政府补贴的结合推动了太阳能发电的显著增长。20...
2024-02-06
在当今的半导体市场,公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的,可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营,必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准。安森美(onsemi)作为一家半导体供应商,为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品,且这些产品达到了高品质和高可靠性。之前我们分享了如何对IGBT进行可靠性测试,今天我们来介绍如何通过可靠...
2024-01-27
最近,飞机设计正朝着更加电动的飞机(MEA)范式转变,即增加使用电能而不是气动和液压能量来为机载系统提供动力。MEA的实现具有一些不可否认的优势,例如能源效率和低成本维护,这从空中客车A380或波音787等近期飞机中越来越多的实现中可见一斑。为了实现这一点,必须对电源架构进行重大修改,以确保最佳性能。该电源架构基于多种互连且电气隔离的机载电网。此外,还有两个网络电压等级:为控制设备供电的28...
2024-01-20
由于长期经济不确定性和美国出口管制影响,2023年中国芯片进口遭遇了有记录以来的最大降幅。数据显示,2023年全球最大半导体市场的集成电路进口额下降了15.4%,至3494亿美元,这是自2004年中国海关数据公布以来的最大降幅,并且是连续第二年下降。由于长期经济不确定性和美国出口管制影响,2023年中国芯片进口遭遇了有记录以来的最大降幅。据中国海关总署官网统计数据显示,2023年中国累计进...
2024-01-19
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