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小芯片(Chiplet)标志着半导体创新的新时代,而封装是这一雄心勃勃的设计事业的内在组成部分。然而,虽然Chiplet和封装技术齐头并进,重新定义了芯片集成的可能性,但这种技术结合并不是那么简单和直接。
2023-10-14
在本文中,我们将探讨仿真工具SIMBA的一些功能,会如何加快电源转换器的开发···
2023-09-18
本文将开启介绍与用于电子电路仿真的QSPICE软件相关的系列教程。
2023-08-19
逻辑元件“异或”广泛应用于各种数字设备中。然而,在某些情况下,例如,当使用增加的操作电压时,不可能使用标准芯片。这个问题可以通过使用离散元素来解决。如果标准的AND或or逻辑元件很容易被二极管电阻电路取代,那么XOR元件的情况要复杂得多。值得注意的是,3XOR逻辑门并非由该行业制造。下面将展示如何从一组标准离散元件合成2XOR和3XOR元件。图1显示了如何从2OR和2AND逻辑元件以及VT1...
2023-08-12
传统工艺的挑战· Leakage/Power consumption issue泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。因此,降低芯片leakage成为设计的重点之一。 Leakage是主要cost,直接影响整个芯片的功耗。· 三十...
2023-07-13
IGBT广泛应用于各类电力电子设备中,其可靠性一直都是制造商和用户重点关注的问题。为了满足高可靠性的应用需求,模块供应商在持续不断地通过改进设计、应用新材料、升级生产工艺来提升可靠性。而用户更为关注的是在特定的应用条件下IGBT模块的寿命是否满足系统设计要求。那么应该如何进行准确的IGBT模块寿命评估呢?下面我们对这一问题做详细介绍。1. IGBT模块老化机理在系统应用中,影响IGBT模块寿...
2023-07-05
开关作用1、如下图所示:当PQ27控制脚G为低电平时,PQ27截止,此时PQ26的控制脚G为高电平,PQ26导通。编辑搜图当PQ27控制脚G为高电平时,PQ27导通,此时PQ26的控制脚G为低电平,PQ26截止。编辑搜图以上MOS开关实现的是信号切换(高低电平切换)。2、MOS开关实现电压通断编辑搜图编辑搜图3、MOS管在电路中的一般连接方法NMOS管:D极接输入;S极接输出;PMOS管:S...
2023-06-28
一、MOSFET1、概念:功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。2、分类:它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下:MOSFET符号及器件(G:栅极  D:漏极  S:源极) 耗尽型:栅极电压为零时,即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。增强型:需要正偏置栅极电压,才生成导电沟道。达到饱和前,VGS正偏越大,IDS越大。一般使用的功率MOSFET多数...
2023-06-13
01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应...
2023-06-07
MOSFET是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)在MOSFET中,门极长度(Gate length)大约10nm,是所有构造中最细小也最难制作的,因此我们 常常以门极长度来代表半导体制程的进步程度 ,这就是所谓的“制程线宽”。门极长度会随制程技术的进步而变小,从早期的180nm,1...
2023-06-02
  什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
2023-05-18
升压与降压一般是指电源电路的工作模式,有些电源IC可以同时支持升压和降压模式。  降压模式——Bust mode,这个大家比较熟悉的,用的也比较多,比如5V-》3.3V稳压,对应的芯片很多大家上网搜一下就有了,有LDO模式和DC-DC模式的...
2021-03-17
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,...
2021-03-17
什么是场效应管?场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semic...
2021-02-01
近期,IC大厂的涨价函和通知此起彼伏,从瑞萨、NXP到MICROCHIP、ST、新洁能、矽力杰……市场上的朋友戏称涨价函们“九宫格都放不下”、“快凑成一副扑克牌”!12月29日,触控IC大厂发布的涨价函流出:通知显示,因成本上涨压力持续存在...
2020-12-30
场效应管与晶体管各自有什么优势,这是许多人感兴趣的一个问题,下面飞捷士就简单的讲讲!场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用...
2020-12-29
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 -氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor ...
2020-12-29
如何准确判断电路中集成电路IC是否“偷懒”没处在工作状态,是好是坏是修理电视、音响、录像设备的一个重要内容,判断不准,往往花大力气换上新集成电路而故障依然存在,所以要对集成电路作出正确判断。1、首先要掌握该电路中IC的用途、内部结构原理、主...
2020-12-28
高效、降本、低风险,在工业4.0的时代背景下,电子工程师朋友们的工作总是绕不开这些词。如何在预算成本内开发出可制造且高性能的电路板,是每一位pcb layout工程师都要认真思考的问题。经验再丰富的工程师也会有疏忽的时候。当设计文件中的隐患...
2020-12-28
我们学习单片机的目的就是为了进行嵌入式系统的开发,学好单片机首先要有一个整体认识,下面将简要介绍一下单片机应用系统的开发流程。01、明确任务分析和了解项目的总体要求,并综合考虑系统使用环境、可靠性要求、可维护性及产品的成本等因素,制定出可行...
2020-12-26
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