CS120N08A0

描述：

CS120N08A0，硅N通道增强VDMOSFET，是通过先进的沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-263，符合RoHS标准。

特点：

快速开关

低电阻(Rdson≤7.5mΩ)

低门电荷(典型数据：74.4nC)

低反向传输电容(典型：253p F)

100%单脉冲雪崩能量测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。