CS 华晶 CS14N06AE-G

CS14N06 AE-G    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS14N06AE-G，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为SOP8，符合RoHS 拖沓。

特点：

紧固开关

低开阻

低门电荷

低反向传输电容

100%单脉冲雪崩能量测试

卤素自由

应用：

电源开关电路 适配器和充电器的UIT。