CS130N03 A3
Silicon N-Channel Power MOSFET
描述
CS130N03A3,硅N通道增强VDMOSFET,是通过先进的沟槽技术获得的,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-251,符合RoHS标准。
特点:
快速开关
低电阻(Rdson≤2.5mΩ)
低门电荷,低反向传输电容(典型:482p F)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用:
适配器和充电器的电源开关电路
