BT25T120CKR

BT25T120 CKR     Silicon FS Trench IGBT

一般描述：

采用华金的专有沟槽设计，先进的FS（现场停止）技术，并与自由轮式二极管集成，1200V沟槽FSIGBT提供优越的传导和SW 瘙痒性能，高雪崩坚固性。

特点：

沟槽FS技术，正温度系数

低饱和电压：VCE(SAT)，类型=1.95V@IC=25A

极强的雪崩 能力

应用：

电磁炉(IH)电源开关电路)。