HPU800R750PD-G

HPU800R750PD-G    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

HPU800R750PD-G，硅N通道增强MOSFET，是通过超结技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能和增强性能   雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 封装类型为TO-251，符合RoHSsta   恩达德。

特点：

紧固开关

低门电荷

低反向传输电容

100%单脉冲雪崩能量测试

卤素自由

齐纳保护

应用：

电源开关电路   适配器和充电器。