氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中，GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用，例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中，我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被广泛使用。许多晶圆厂现在提供先进的...

几乎所有电子设备中都包含开关电源 (SMPS)。这种电源尺寸很小但效率很高，是比较广泛使用的电源之一。SMPS 集成了可控开关、控制 IC 和无源元件，为负载提供可持续的可靠输出。DC-DC 和 AC-DC 电源转换是比较常见的两种电源类型。大多数负载需要直流输入，例如手机、笔记本电脑和数据中心内高功率服务器中的芯片。DC-DC 转换器可将直流输入转换为所需的直流输出，是 SMPS 的核心器...

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。1. IGBT的工作原理：IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bip...

IGBT（绝缘栅双极型晶体管)，变频器的核心部件IGBT实物图+电路符号图在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。01什...

CS14N10 A4Silicon N-Channel Power MOSFET描述：CS14N10A4，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为TO-252，符合RoHS标准。特点：l紧开关l低导通电阻(Rdson≤150mΩ)l低门电荷l低反向传输电容l100%单脉冲雪崩能量...

在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！什么是MOS管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应...