传统工艺的挑战· Leakage/Power consumption issue泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。因此，降低芯片leakage成为设计的重点之一。 Leakage是主要cost，直接影响整个芯片的功耗。· 三十...

IGBT广泛应用于各类电力电子设备中，其可靠性一直都是制造商和用户重点关注的问题。为了满足高可靠性的应用需求，模块供应商在持续不断地通过改进设计、应用新材料、升级生产工艺来提升可靠性。而用户更为关注的是在特定的应用条件下IGBT模块的寿命是否满足系统设计要求。那么应该如何进行准确的IGBT模块寿命评估呢？下面我们对这一问题做详细介绍。1. IGBT模块老化机理在系统应用中，影响IGBT模块寿...

开关作用1、如下图所示：当PQ27控制脚G为低电平时，PQ27截止，此时PQ26的控制脚G为高电平，PQ26导通。编辑搜图当PQ27控制脚G为高电平时，PQ27导通，此时PQ26的控制脚G为低电平，PQ26截止。编辑搜图以上MOS开关实现的是信号切换（高低电平切换）。2、MOS开关实现电压通断编辑搜图编辑搜图3、MOS管在电路中的一般连接方法NMOS管：D极接输入；S极接输出；PMOS管：S...

一、MOSFET1、概念：功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。2、分类：它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下：MOSFET符号及器件（G：栅极  D：漏极  S：源极） 耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。达到饱和前，VGS正偏越大，IDS越大。一般使用的功率MOSFET多数...

01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应...

MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）在MOSFET中，门极长度（Gate length）大约10nm，是所有构造中最细小也最难制作的，因此我们 常常以门极长度来代表半导体制程的进步程度 ，这就是所谓的“制程线宽”。门极长度会随制程技术的进步而变小，从早期的180nm，1...