CS14N10 A4Silicon N-Channel Power MOSFET描述：CS14N10A4，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为TO-252，符合RoHS标准。特点：l紧开关l低导通电阻(Rdson≤150mΩ)l低门电荷l低反向传输电容l100%单脉冲雪崩能量...

在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！什么是MOS管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应...

当负载由多个电源同时驱动且每个电源具有其自己的频率时，来自各个电源的负载功率传输是彼此独立的。无论其中任何一个电源单独为负载提供多少功率，该功率传输都不会受到其他电源存在与否的影响。想象一下这个场景，一堆电压源串联在一起，馈入某个负载电阻R。它可能类似于图1。图1 一组串联的电压源，馈入某个负载电阻R。当然，我们还可以有更多的电压源，比如四个、五个或更多，但三个是一个比较好且方便的数字。为了...