IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。1. IGBT的工作原理：IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bip...

IGBT（绝缘栅双极型晶体管)，变频器的核心部件IGBT实物图+电路符号图在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。01什...

CS14N10 A4Silicon N-Channel Power MOSFET描述：CS14N10A4，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为TO-252，符合RoHS标准。特点：l紧开关l低导通电阻(Rdson≤150mΩ)l低门电荷l低反向传输电容l100%单脉冲雪崩能量...