氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中，GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用，例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中，我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被广泛使用。许多晶圆厂现在提供先进的...
2024-04-23
几乎所有电子设备中都包含开关电源 (SMPS)。这种电源尺寸很小但效率很高，是比较广泛使用的电源之一。SMPS 集成了可控开关、控制 IC 和无源元件，为负载提供可持续的可靠输出。DC-DC 和 AC-DC 电源转换是比较常见的两种电源类型。大多数负载需要直流输入，例如手机、笔记本电脑和数据中心内高功率服务器中的芯片。DC-DC 转换器可将直流输入转换为所需的直流输出，是 SMPS 的核心器...
2024-04-20
纵观全球乘用车发展，自动挡已基本普及，其简单易学和便利智能的特点为驾驶员带来更舒适的驾驶体验，也更加适应城市交通。自动换档功能的实现其实是采用拨档开关替代手动操作，拨档开关会根据汽车不同发动机转速、汽车速度以及驾驶员的踩油门的意图来控制拨叉切换和档位切换。拨档开关想要实现这些自动化操作，就需要一颗“大脑”。航顺芯片M0系车规级MCU HK32A040C8T3就是这样一颗“大脑”，应用在拨档开...
2024-04-13
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。1. IGBT的工作原理：IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bip...
2024-04-12
最近，安森美发布了第二代1200V SiC MOSFET产品。安森美在前代SiC MOSFET产品中，采用M1及其衍生的M2技术平台，而这次发布的第二代1200V SiC MOSFET，安森美称其为M3S。M3S产品导通电阻规格分为13/22/30/40/70mΩ，适配TO247−3L/4L和D2PAK−7L分立封装。据官方介绍，S代表开关，M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200...
2024-04-08
在储能产品中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）扮演着不可或缺的角色。它不仅负责高效的电能转换，还具备必要的保护功能，确保设备稳定运行并保障用户安全。例如，在电池管理系统（BMS）和能量控制系统（PCS）中，MOSFET负责实现电池与外界之间的能量转换。得益于MOSFET的高转换效率和低导通电阻，能有助于降低能量损耗，从而提升整个储能系统的能效。高品质的MOSFET能够承受高电压和...
2024-04-03
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