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MOSFET

MOSFET

副标题

集成电路IC
MOSFETS
IGBT
单片机
RT2517A
型号: RT2517A
品牌: 立锜 RT
封装: VDFN3x3-8A
RT2517B
型号: RT2517B
品牌: 立锜 RT
封装: PSOP-8
RT2518
型号: RT2518
品牌: 立锜 RT
封装: WDFN3x3-8
RT2519
型号: RT2519
品牌: 立锜 RT
封装: VDFN-8A
RT2519W
型号: RT2519W
品牌: 立锜 RT
封装: VDFN-8A
RT2560Q
型号: RT2560Q
品牌: 立锜 RT
封装: PSOP-8
MT7840
型号: MT7840
品牌: 美芯晟Maxic
封装: SOP8
MT7842/F
型号: MT7842/F
品牌: 美芯晟Maxic
封装: SOP7
MT7842B/BF
型号: MT7842B/BF
品牌: 美芯晟Maxic
封装: SOP7
MT7842Y
型号: MT7842Y
品牌: 美芯晟Maxic
封装: SOP7
...
共44页
到第
CS19N40ANR
品牌: 华润华晶
封装: TO-3P(N)
耐压: 400V
电流: 19A
CS19N40FA9R
品牌: 华润华晶
封装: TO-220F
耐压: 400V
电流: 19A
CS2N50A4R
品牌: 华润华晶
封装: TO-252
耐压: 500V
电流: 2A
CS10N40A4R
品牌: 华润华晶
封装: TO-252
耐压: 400V
电流: 10A
CS10N40A3R
品牌: 华润华晶
封装: TO-251
耐压: 400V
电流: 10A
CS8N70FA9RD
品牌: 华润华晶
封装: TO-220F
耐压: 700V
电流: 7A
CS7N70FA9R
品牌: 华润华晶
封装: TO-220F
耐压: 700V
电流: 7A
CS6N40FA9R
品牌: 华润华晶
封装: TO-220F
耐压: 400V
电流: 6A
CS6N40A4R
品牌: 华润华晶
封装: TO-252
耐压: 400
电流: 6
CS6N40A3R
品牌: 华润华晶
封装: TO-251
耐压: 400V
电流: 6A
...
共30页
到第
BT8T60A8F
品牌: 华润华晶
封装: TO-220AB
耐压: 600V
电流: 8A
BT15T60A8F
品牌: 华润华晶
封装: TO-220AB
耐压: 600V
电流: 8A
BT15T60A9F
品牌: 华润华晶
封装: TO-220F
耐压: 600V
电流: 15A
BT15T120CKED
品牌: 华润华晶
封装: TO-247
耐压: 1200V
电流: 15A
BT15T120CKEH
品牌: 华润华晶
封装: TO-247
耐压: 1200V
电流: 15A
BT15T120CNR
品牌: 华润华晶
封装: TO-3P(N)
耐压: 1200V
电流: 15A
BT25T120CKD
品牌: 华润华晶
封装: TO-247
耐压: 1200V
电流: 25A
BT25T120CKR
品牌: 华润华晶
封装: TO-247
耐压: 1200V
电流: 25A
BT25T135CKR
品牌: 华润华晶
封装: TO-247
耐压: 1350V
电流: 25A
BT40T60ANF
品牌: 华润华晶
封装: TO-3P(N)
耐压: 600V
电流: 40A
...
共10页
到第
N32G4FREL7
品牌: 国民技术
封装: LQFP64
主频: 144
Flash: 512kb
N32G4FRHEQ7
品牌: 国民技术
封装: QFN40
主频: 144
Flash: 512kb
N32G4FRKEQ7
品牌: 国民技术
封装: QFN32
主频: 144
Flash: 512kb
N32G4FRKCa7
品牌: 国民技术
封装: QFN32
主频: 144
Flash: 256kb
N32G4FRMEL7
品牌: 国民技术
封装: LQFP80
主频: 144
Flash: 512kb
N32G020G7Ql
品牌: 国民技术
封装: QFN32
主频: 80
Flash: 128kb
N32G4FRHCQ7
品牌: 国民技术
封装: QFN40
主频: 144
Flash: 256kb
N32G020K8Ql
品牌: 国民技术
封装: QFN48
主频: 80
Flash: 256kb
N32G032F6S7
品牌: 国民技术
封装: TSsOP20
主频: 45
Flash: 32kb
N32G032F6U7
品牌: 国民技术
封装: UFQFPN20
主频: 45
Flash: 32kb
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文章附图

氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中,GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用,例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中,我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被广泛使用。许多晶圆厂现在提供先进的...

文章附图

几乎所有电子设备中都包含开关电源 (SMPS)。这种电源尺寸很小但效率很高,是比较广泛使用的电源之一。SMPS 集成了可控开关、控制 IC 和无源元件,为负载提供可持续的可靠输出。DC-DC 和 AC-DC 电源转换是比较常见的两种电源类型。大多数负载需要直流输入,例如手机、笔记本电脑和数据中心内高功率服务器中的芯片。DC-DC 转换器可将直流输入转换为所需的直流输出,是 SMPS 的核心器...

文章附图

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。1. IGBT的工作原理:IGBT是一种晶体管结构,由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)控制Bip...

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